CS13N50FA9R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道
CS13N50FA9R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)13A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻500mΩ @ 6.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)42W(Tc)
类型N沟道
CS13N50FA9R
CS13N50FA9R及相关型号的PDF资料
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| CS13N50FA9R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 268.84 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS13N50FA9R的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS13N50FA9R | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥3.46 10+:¥2.56 30+:¥2.39 100+:¥2.23 500+:¥2.16 1000+:¥2.12
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