CS12N06AE-G
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:N沟道
CS12N06AE-G的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
栅源极阈值电压1.9V @ 250uA
漏源导通电阻13.5mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.2W
类型N沟道
CS12N06AE-G
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| CS12N06AE-G | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 1.62 Mbytes | 共10页 |  | 无 |
CS12N06AE-G的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS12N06AE-G | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:N沟道 | 1+:¥1.0795 10+:¥0.7796 30+:¥0.7245 100+:¥0.6695 500+:¥0.645 1000+:¥0.6329
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