CRTD084NE6N的供应商，CRTD084NE6N规格参数，CRTD084NE6N的PDF资料

CRTD084NE6N /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：87A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道

CRTD084NE6N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）65V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）87A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻8.4mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）98W(Tc)

类型N沟道

CRTD084NE6N的供应商,可免费索样

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集好芯城	CRTD084NE6N	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 13310061703	傅小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	CRTD084NE6N	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	CRTD084NE6N	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	CRTD084NE6N	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市腾浩伟业电子有限公司	CRTD084NE6N	深圳市福田区上步工业区201栋316室	18218171380(微信同号）	李	询价
深圳市祥亿丰创展电子有限公司	CRTD084NE6N	深圳市福田区华强北路华强广场C座8F	0755-83266191 13713988890,13725586005	林小姐	询价

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CRTD084NE6N	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：87A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道	CRMICRO(华润微)		647.83 Kbytes	共9页		无

CRTD084NE6N的全球分销商及价格

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立创商城	CRTD084NE6N	CRMICRO(华润微)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：87A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：98W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.5295 10+:￥1.1047 30+:￥1.0266 100+:￥0.9486 500+:￥0.9139 1000+:￥0.8968

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