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CPV363M4F /Vishay Semiconductor Diodes Division/分立半导体产品
CPV363M4F的规格信息
CPV363M4F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:84

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 模块

系列:-

IGBT 类型:-

配置:三相反相器

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A

功率 - 最大值:36W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.63V @ 15V,16A

电流 - 集电极截止(最大值):250µA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.1nF @ 30V

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:通孔

封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2

供应商器件封装:IMS-2

其它名称:*CPV363M4FVS-CPV363M4FVS-CPV363M4F-NDVSCPV363M4FVSCPV363M4F-ND

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