FET 类型：N 沟道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：90.8nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1915pF @ 800V

功率耗散（最大值）：313mW（Tj）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 20A，20V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：模具

封装/外壳：模具

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs