FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：375pF @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：83 毫欧 @ 1.5A，4.5V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：CPH

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：3A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs