FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：250V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V

Vgs（最大值）：±15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：230pF @ 20V

FET 功能：耗尽模式

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 300mA， 0V

工作温度：125°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-89

封装/外壳：TO-243AA

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs