FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：30V

漏源电压（Vdss）：30V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：5mA @ 20V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：6V @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4pF @ 15V

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs