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CMRDM3590 /MOSFET DUAL N-CHNL MOSFET
CMRDM3590的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-963-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:160 mA

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:ATTOmini

封装:Reel

高度:0.5 mm

长度:1.05 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:CMRDM

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:0.85 mm

商标:Central Semiconductor

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:8000

子类别:MOSFETs

零件号别名:CMRDM3590 TR

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