标准包装：1

IGBT 型 ：-

配置 ：Half Bridge

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V

蒸气云爆炸（上）（最大值）”的发展，集成电路：2.25V @ 15V, 450A

集电极电流（Ic）（最大）：410A

电流 - 集电极截止（最大）：1mA

输入 电容 (Cies) @ Vce：45nF @ 10V

功率 - 最大：3330W

输入 ：Standard

NTC热敏电阻器：No

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：Module

供应商器件封装：Module

动态目录：;;其他的名称；

输入电容（Cies ） @ Vce时：45nF @ 10V

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：410A

安装类型：Surface Mount

电流 - 集电极截止（最大）：1mA

标准包装：10

Vce（开） （最大值） Vge，Ic时：2.25V @ 15V, 450A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V

供应商设备封装：Module

功率 - 最大：3330W

封装/外壳：Module

输入：Standard

配置：Half Bridge

NTC热敏电阻：No

晶体管极性：:Dual N Channel

DC Collector Current：:450A

Collector Emitter Voltage Vces：:1.7V

功耗：:3.33kW

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：:1.2kV

Operating Temperature Min：:-40°C

Weight (kg)：0

Tariff No.：85412900