Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：1

IGBT 型 ：-

配置 ：Half Bridge

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.15V @ 15V, 300A

- 集电极电流（Ic）（最大）：300A

电流 - 集电极截止（最大）：1mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce：30nF @ 10V

功率 - 最大：2270W

输入 ：Standard

NTC Thermistor：Yes

安装类型 ：Chassis Mount

包/盒 ：Module

供应商器件封装：Module

输入电容（Cies ） @ Vce时：30nF @ 10V

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：300A

安装类型：Chassis Mount

电流 - 集电极截止（最大）：1mA

标准包装：10

Vce（开） （最大值） Vge，Ic时：2.15V @ 15V, 300A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V

供应商设备封装：Module

功率 - 最大：2270W

封装/外壳：Module

输入：Standard

配置：Half Bridge

NTC热敏电阻：Yes

其他名称：835-1124

晶体管极性：:Dual N Channel

DC Collector Current：:300A

Collector Emitter Voltage Vces：:1.2kV

功耗：:2.27kW

Operating Temperature Min：:-40°C

Operating Temperature Max：:150°C

Weight (kg)：0

Tariff No.：85412900