Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：1

IGBT 型 ：-

配置 ：Half Bridge

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：3.7V @ 15V, 150A

- 集电极电流（Ic）（最大）：150A

电流 - 集电极截止（最大）：1mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce：22nF @ 10V

功率 - 最大：890W

输入 ：Standard

NTC Thermistor：No

安装类型 ：Chassis Mount

包/盒 ：Module

供应商器件封装：Module

输入电容（Cies ） @ Vce时：22nF @ 10V

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：150A

安装类型：Chassis Mount

电流 - 集电极截止（最大）：1mA

标准包装：10

Vce（开） （最大值） Vge，Ic时：3.7V @ 15V, 150A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V

供应商设备封装：Module

功率 - 最大：890W

封装/外壳：Module

输入：Standard

配置：Half Bridge

NTC热敏电阻：No