Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2
IGBT 型
：-
配置
：Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 100A
- 集电极电流（Ic）（最大）：100A
电流 - 集电极截止（最大）：1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce：23nF @ 10V
功率 - 最大：650W
输入
：Standard
NTC Thermistor：No
安装类型
：Chassis Mount
包/盒
：Module
供应商器件封装：Module
输入电容（Cies ） @ Vce时：23nF @ 10V
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：100A
安装类型：Chassis Mount
电流 - 集电极截止（最大）：1mA
标准包装：10
Vce（开） （最大值） Vge，Ic时：2.5V @ 15V, 100A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
供应商设备封装：Module
功率 - 最大：650W
封装/外壳：Module
输入：Standard
配置：Half Bridge
NTC热敏电阻：No
集电极电流（DC ）：100 A
集电极 - 发射极电压：1200 V
安装：Screw
引脚数：7
工作温度（最大）：150C
工作温度（最小值）：-40C
工作温度分类：Automotive
渠道类型：N
Gate to Emitter Voltage (Max)：�20 V
弧度硬化：No
usewith：BG2B-3015BG2A-NFBG2B-5015BG2B-1515