CJT04N15
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
CJT04N15的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻160mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型N沟道
CJT04N15
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 立创商城 | CJT04N15 | CJ(江苏长电/长晶) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | 1+:¥1.187 10+:¥0.8872 30+:¥0.8321 100+:¥0.777 500+:¥0.7525 1000+:¥0.7404
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