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CJP85N80 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道
CJP85N80的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)85V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道

供应商CJP85N80
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现代芯城(深圳)科技有限公司CJP85N80www.nowchip.com0755-27381274
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CJP85N80CJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道1+:¥2.46
10+:¥1.84
30+:¥1.73
100+:¥1.61
500+:¥1.56
1000+:¥1.54