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CJE3139K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:P沟道
CJE3139K的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)660mA

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻520mΩ @ 1A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)150mW

类型P沟道

供应商CJE3139K
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CJE3139KCJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:P沟道10+:¥0.255318
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