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CJ8820 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

CJ8820的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻21mΩ @ 7A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型N沟道

CJ8820

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CJ8820及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
CJ8820	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	464.03 Kbytes	共3页	无
CJ8820	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS	ZPSEMI[ZP Semiconductor]	1438.89 Kbytes	共3页	无
CJ8820	Dual N-Channel MOSFET	JIANGSU[Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd]	985.78 Kbytes	共5页	无

CJ8820的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	CJ8820	CJ（江苏长电/长晶）	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	10+:￥0.379924 100+:￥0.284962 300+:￥0.26752 1000+:￥0.250078 5000+:￥0.242326 10000+:￥0.238496

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