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CIGT201208EH1R0MNE / FIXED IND 1UH 3.1A 55MOHM SMD
CIGT201208EH1R0MNE的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:CIGT

类型:薄膜

材料-磁芯:金属合成物

电感:1µH

偏差:±20%

额定电流:3.1A

电流-饱和值:3.5A

屏蔽:无屏蔽

DC电阻(DCR):55 毫欧最大

工作温度:-40°C ~ 125°C

频率-测试:1MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:0805

尺寸:0.079" 长 x 0.050" 宽(2.00mm x 1.25mm)

高度-安装(最大值):0.032"(0.80mm)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商CIGT201208EH1R0MNE
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