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CEU75A3 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道
CEU75A3的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)25V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻9mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)56W(Tc)

类型N沟道

供应商CEU75A3
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CEU75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CET[Chino-Excel Technology]CET[Chino-Excel Technology]的LOGO106.44 Kbytes共4页CEU75A3的PDF下载地址CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CEM2108,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A,CEP65A3,CEP3120
CEU75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CET[Chino-Excel Technology]CET[Chino-Excel Technology]的LOGO372.88 Kbytes共4页CEU75A3的PDF下载地址
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CEU75A3CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.3019
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