CET6426
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
CET6426的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻75mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W
类型N沟道
CET6426
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CET6426 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET[Chino-Excel Technology] | ![CET[Chino-Excel Technology]的LOGO](/PdfSupLogo/33CET.GIF) | 409.86 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | CET6426 | CET(华瑞) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 | 1+:¥1.601 10+:¥1.2012 30+:¥1.1277 100+:¥1.0543 500+:¥1.0216 1000+:¥1.0055
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