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CEP12P10 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:315mΩ @ 5.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:P沟道
CEP12P10的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻315mΩ @ 5.75A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)75W(Tc)

类型P沟道

供应商CEP12P10
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CEP12P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CET[Chino-Excel Technology]CET[Chino-Excel Technology]的LOGO102.67 Kbytes共4页CEP12P10的PDF下载地址CEM4301,CEM8311,CEM4311,CEM4435A,CEM9407A,CEM4481,CEM4487,CEA6861,CEM4948,CEM4953A
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CEP12P10CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:315mΩ @ 5.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.89
10+:¥2.14
30+:¥2
100+:¥1.86
500+:¥1.8
1000+:¥1.77