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CEP10N6 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道
CEP10N6的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻750mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)166W(Tc)

类型N沟道

供应商CEP10N6
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CEP10N6CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.76
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CEP10N65CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.22
10+:¥3.12
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