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CEM3120 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
CEM3120的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻15mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型N沟道

供应商CEM3120
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CEM3120CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥0.9802
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