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CEG8205A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
CEG8205A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型N沟道

供应商CEG8205A
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CEG8205ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CET[Chino-Excel Technology]CET[Chino-Excel Technology]的LOGO123.47 Kbytes共4页CEG8205A的PDF下载地址CEG8205,P75N02LD,FDS8958A,2N7000,CEA6861,FDS9435A,2SK3230,2N6796,UPA2450,STP5N90
CEG8205A_10Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CET[Chino-Excel Technology]CET[Chino-Excel Technology]的LOGO439.83 Kbytes共4页CEG8205A_10的PDF下载地址
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CEG8205ACET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道5+:¥0.581742
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