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CEA6861 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:135mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
CEA6861的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.4A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻135mΩ @ 2.4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型P沟道

供应商CEA6861
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CEA6861CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:135mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道1+:¥1.3136
10+:¥0.9487
30+:¥0.8817
100+:¥0.8147
500+:¥0.7849
1000+:¥0.7702