图像仅供参考,请参阅规格书
晶体管类型:pHEMT FET
频率:20GHz
增益:13.8dB
电压 - 测试:2V
额定电流:15mA
噪声系数:0.8dB
电流 - 测试:10mA
功率 - 输出:125mW
电压:4V
封装/外壳:4-Micro-X
供应商器件封装:4-Micro-X
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs