CDM22010-650的供应商，CDM22010-650规格参数，CDM22010-650的PDF资料

CDM22010-650 /MOSFET 650Vds 30Vgs 10A 40A 8.0nC 0.88Ohm

CDM22010-650的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

系列:CDM22010

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Central Semiconductor

下降时间:36 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:33 ns

工厂包装数量:400

子类别:MOSFETs

零件号别名:CDM22010-650 PBFREE

CDM22010-650的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CDM22010-650	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市坤融电子有限公司	CDM22010-650	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯幂科技有限公司	CDM22010-650	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	CDM22010-650	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	CDM22010-650	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	CDM22010-650 SL	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CDM22010-650	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	CDM22010-650 SL	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
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型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
CDM22010-650	SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET	CENTRAL[Central Semiconductor Corp]	798.75 Kbytes	共3页	无
CDM22010-650 SL	MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm	Central Semiconductor	866.98 Kbytes	共4页	无
CDM22010-650 SL	MOSFET N-CH 10A 650V TO220	Central Semiconductor Corp	866.68 Kbytes	共4页	无
CDM22010-650 SL	MOSFET N-CH 650V 10A TO220	Central Semiconductor Corp	866.68 Kbytes	共4页	无

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