应用：RF，微波，高频
安装类型：表面贴装，MLCC
尺寸 ：0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）
厚度（最大值）：0.034"（0.87mm）
工作温度：-55°C ~ 125°C
特性：高 Q 值，低损耗
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1490pF @ 50V
功率耗散（最大值）：2.2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 6.6A，10V
老化率：0% Loss/Decade Hour
底座宽度：0.4mm ±0.15mm
描述：SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I
抗电强度：500 V
DF耗散系数：0.0019
特征：Ultra High Q, Low ESR, Class I
绝缘电阻：10 GOhms
宽度：1.6mm ±0.1mm
其他：Minimum Q = 936
Notes：Solder Wave or Solder Reflow
包装：T&R, 180mm, Plastic Tape
Quality Factor：936
RoHS：Yes
系列：CBR-SMD RF C0G
T：0.8mm ±0.07mm
Termination：Tin
引脚宽度：0.8mm ±0.1mm
电压：250V
偏差：±0.25pF
容值：6.8pF
封装/外壳：0603
温度系数：C0G
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs