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CBR04C510G1GAC /CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 51 pF, 2%, 100 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0402
CBR04C510G1GAC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

老化率:0% Loss/Decade Hour

底座宽度:0.25mm +0.05/-0.1mm

描述:SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I

抗电强度:250 V

DF耗散系数:0.001

特征:Ultra High Q, Low ESR, Class I

绝缘电阻:10 GOhms

宽度:1mm ±0.05mm

其他:Minimum Q = 1400

Notes:Solder Reflow Only

包装:T&R, 180mm, Plastic Tape

Quality Factor:1400

RoHS:Yes

系列:CBR-SMD RF C0G

T:0.5mm ±0.05mm

工作温度:-55°C ~ 125°C

Termination:Tin

电压:100V

偏差:±2%

容值:51pF

封装/外壳:0402

温度系数:C0G

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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CBR04C510G1GAC多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 100V 51pF C0G 0402 2%KEMETKEMET的LOGO1.97 Mbytes共18页CBR04C510G1GAC的PDF下载地址
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