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CBR02C200J5GAC /CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 20 pF, 5%, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0201
CBR02C200J5GAC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

老化率:0% Loss/Decade Hour

底座宽度:0.15mm ±0.05mm

描述:SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I

抗电强度:125 V

DF耗散系数:0.0012

特征:Ultra High Q, Low ESR, Class I

绝缘电阻:10 GOhms

宽度:0.6mm ±0.03mm

其他:Minimum Q = 1200

Notes:Solder Reflow Only

包装:T&R, 180mm, Plastic Tape

Quality Factor:1200

RoHS:Yes

系列:CBR-SMD RF C0G

T:0.3mm ±0.03mm

工作温度:-55°C ~ 125°C

Termination:Tin

电压:50V

偏差:±5%

容值:20pF

封装/外壳:0201

温度系数:C0G

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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CBR02C200J5GAC多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50V 20pF C0G 0201 5%KEMETKEMET的LOGO1.97 Mbytes共18页CBR02C200J5GAC的PDF下载地址
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