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CA3082M / 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
CA3082M的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Intersil

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

配置:Hepta

晶体管极性:NPN

集电极—基极电压 VCBO:20 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

最大工作温度:+ 125 C

封装 / 箱体:SOIC-16 Narrow

商标:Intersil

直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 30 mA at 0.5 V

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:500 mW

供应商CA3082M
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集好芯城CA3082M深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市芯幂科技有限公司CA3082M深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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汕头市明兴电子有限公司CA3082M96新兴路北林距离南安电子市场300米处0754-84507786
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CA3082MGeneral Purpose High Current NPN Transistor Arrays INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO150.68 Kbytes共6页CA3082M的PDF下载地址MSD42SWT1,D965SS,PUMX1,MC3346,BUX81,BUTW92_01,HE8051,MMBT489LT1_06,CA3046,2SC5658M3T5G
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CA3082M96General Purpose High Current NPN Transistor Arrays INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO150.68 Kbytes共6页CA3082M96的PDF下载地址MSD42SWT1,D965SS,PUMX1,MC3346,BUX81,BUTW92_01,HE8051,MMBT489LT1_06,CA3046,2SC5658M3T5G
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Rochester Electronics		CA3082MRochester Electronics LLCTransistor Array; Rochester re-creation projected available in July 2012 CA3082M价格未公开
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Rochester Electronics		CA3082M96Rochester Electronics LLCTransistor Array; Rochester re-creation projected available in July 2012 CA3082M96价格未公开
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