应用：通用

安装类型：表面贴装，MLCC

封装/外壳：0603（1608 公制）

尺寸 ：0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）

厚度（最大值）：0.034"（0.87mm）

容值：12pF

偏差：±0.5pF

电压：50V

温度系数：C0G，NP0

工作温度：-55°C ~ 125°C

特性：低 ESL 型

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：710pF @ 30V

功率耗散（最大值）：700mW（Ta），18W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs