齐纳电压：12.05 V

电压容差：5 %

齐纳电流：20 mA

功率耗散：1 W

最大反向漏泄电流：500 nA

最大齐纳阻抗：9 Ohms

最大工作温度：+ 200 C

安装风格：Through Hole

封装 / 箱体：DO-41

封装：Ammo Pack

商标：Fairchild Semiconductor

配置：Single

最小工作温度：- 65 C

系列：BZX85C12

工厂包装数量：3000

单位重量：245 mg

ROHS： 无铅