FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：225mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：3.5 欧姆 @ 200mA，5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：50V

连续漏极电流ID：0.2A

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 200mA，5V

FET 类型：N 沟道

漏源极电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs