制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-204-2

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:200 V

集电极—基极电压 VCBO:250 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

最大直流电集电极电流:40 A

增益带宽产品fT:8 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BUV21

高度:8.51 mm (Max)

长度:38.86 mm

封装:Tray

宽度:26.67 mm (Max)

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:40 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

Pd-功率耗散:250 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:100

子类别:Transistors

单位重量:13.762 g