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BUL58D /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
BUL58D的规格信息
BUL58D的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V

发射极 - 基极电压 VEBO:9 V

最大直流电集电极电流:8 A

最大工作温度:+ 150 C

系列:BUL58D

封装:Tube

商标:STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min:5

Pd-功率耗散:85000 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:2.300 g

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