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BUK9875-100A/CUX /MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9875-100A/CUX的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:72 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:57 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:120 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:58 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:260 mg

供应商BUK9875-100A/CUX
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深圳和润天下电子科技有限公司BUK9875-100A/CUX MOS(场效应管)深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BUK9875-100A/CUX深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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BUK9875-100A/CUXMOSFET N-CH 100V 7A SOT223Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO716.70 Kbytes共12页BUK9875-100A/CUX的PDF下载地址无
BUK9875-100A/CUX连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：72mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：8W(Tc) 类型：N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO716.70 Kbytes共12页BUK9875-100A/CUX的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		BUK9875-100A/CUXNexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET1:¥4.9155
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100:¥2.6329
1,000:¥2.1131
2,000:¥1.7854
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立创商城		BUK9875-100A/CUXNexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：72mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：8W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.27
10+:￥2.46
30+:￥2.3
100+:￥2.15
500+:￥2.09
1000+:￥2.05
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