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BU2527AF /Silicon Diffused Power Transistor
BU2527AF的规格信息
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安装类型通孔

宽度5.2mm

封装类型TO-247F

尺寸21.5 x 15.3 x 5.2mm

引脚数目3

晶体管类型NPN

最低工作温度-65 °C

最大功率耗散45000 mW

最大基极-发射极饱和电压1.3 V

最大直流集电极电流12 A

最大集电极-发射极电压800 V

最大集电极-发射极饱和电压5 V

最小直流电流增益5 V

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别双极功率

配置单

长度15.3mm

高度21.5mm

供应商BU2527AF
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深圳市坤融电子有限公司BU2527AF航都大厦10I0755-23990975
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