BTA2008-1000D/L0EP的供应商，BTA2008-1000D/L0EP规格参数，BTA2008-1000D/L0EP的PDF资料

BTA2008-1000D/L0EP /双向可控硅 BTA2008-1000D/L01/TO-92/STANDA

BTA2008-1000D/L0EP的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:WeEn Semiconductors

产品种类:双向可控硅

RoHS:是

开启状态RMS电流 - It RMS:0.8 A

不重复通态电流:9 A

额定重复关闭状态电压 VDRM:1000 V

关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:-

开启状态电压:1.3 V

保持电流Ih最大值:10 mA

栅极触发电压-Vgt:0.85 V

栅极触发电流-Igt:5 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

商标:WeEn Semiconductors

产品类型:Triacs

工厂包装数量:2000

子类别:Thyristors

零件号别名:934066764412

单位重量:217 mg

BTA2008-1000D/L0EP的供应商,可免费索样

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集好芯城	BTA2008-1000D/L0EP	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	BTA2008-1000D/L0EP	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
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BTA2008-1000D/L0EP	BTA2008-1000D/L01/TO-92/STANDA	WeEn Semiconductors		267.52 Kbytes	共13页		无

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