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BT149G,412 /SCR BULKSL TRIAC
BT149G,412的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:WeEn Semiconductors

产品种类:SCR

RoHS:

额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V

关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.05 mA

开启状态RMS电流 - It RMS:0.8 A

最大栅极峰值反向电压:5 V

栅极触发电压-Vgt:0.5 V

栅极触发电流-Igt:50 uA

保持电流Ih最大值:5 mA

最大工作温度:+ 125 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

电流额定值:500 mA

类型:SCRs

商标:WeEn Semiconductors

不重复通态电流:9 A

产品类型:SCRs

工厂包装数量:5000

子类别:Thyristors

零件号别名:933998440412 BT149G

单位重量:453.600 mg

供应商BT149G,412
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深圳市博浩通科技有限公司BT149G,412华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
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深圳市芯幂科技有限公司BT149G,412深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419,19076157484
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深圳市斌腾达科技有限公司BT149G,412深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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BT149G,412栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):500mA 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO112.93 Kbytes共13页BT149G,412的PDF下载地址
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BT149G,412NXP SemiconductorsSCR - 单个 - 分立半导体产品50+:¥3.72
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BT149G,412WeEn SemiconductorsSCR 600V 800MA TO92-3Active
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BT149G,412WeEn SemiconductorsSCR BULKSL TRIAC1:¥3.0736
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1,000:¥0.76049
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BT149G,412Infineon(英飞凌)栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):500mA 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:800mV 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅5+:¥0.420854
50+:¥0.316602
150+:¥0.297454
500+:¥0.278305
2500+:¥0.269795
5000+:¥0.265589
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BT149G,412WeEn(瑞能)预售晶体管1+:¥1.2095
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