FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 30µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.6nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：750pF @ 15V

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 3.7A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-SC-59

封装/外壳：PG-SC59-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：5V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V

通道类型：N

最大连续漏极电流：3.7 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：36 m0hms

最大栅阈值电压：2V

最小栅阈值电压：1.2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SOT-346 (SC-59)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：小信号

最大功率耗散：500 mW

高度：1.1mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：3 x 1.6 x 1.1mm

宽度：1.6mm

系列：OptiMOS 2

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：4.4 nC @ 5 V

典型输入电容值@Vds：564 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：16.2 ns

典型接通延迟时间：6.8 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：3mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs