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BSG0811ND /MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSG0811ND的规格信息
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制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TISON-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:8.4 nC, 29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6.25 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.15 mm

长度:6 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:46 S, 90 S

下降时间:1.4 ns, 2.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.7 ns, 4.3 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延迟时间:4.3 ns, 5.6 ns

零件号别名:BSG0811NDATMA1 SP001075902

单位重量:230 mg

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