FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：45V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：230mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：60pF @ 10V

功率耗散（最大值）：700mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 欧姆 @ 200mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：E-Line（TO-92 兼容）

封装/外壳：E-Line-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs