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BRD50N03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
BRD50N03的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)45A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻9mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)

类型N沟道

供应商BRD50N03
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BRD50N03连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道BLUE ROCKET(蓝箭)BLUE ROCKET(蓝箭)的LOGO706.46 Kbytes共7页BRD50N03的PDF下载地址
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BRD50N03BLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道5+:¥0.64736
50+:¥0.47243
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