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BRCS5N10MC /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:235mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道
BRCS5N10MC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻235mΩ @ 2A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)830mW

类型N沟道

供应商BRCS5N10MC
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BRCS5N10MC连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:235mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道BLUE ROCKET(蓝箭)BLUE ROCKET(蓝箭)的LOGO1.32 Mbytes共7页BRCS5N10MC的PDF下载地址
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BRCS5N10MCBLUE ROCKET(蓝箭)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:235mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道5+:¥0.503604
50+:¥0.378654
150+:¥0.355704
500+:¥0.332754
2500+:¥0.322554
5000+:¥0.317514