BRCS5N10MC
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：235mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道
BRCS5N10MC的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻235mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）830mW
类型N沟道
BRCS5N10MC
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| BRCS5N10MC | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：235mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道 | BLUE ROCKET(蓝箭) |  | 1.32 Mbytes | 共7页 |  | 无 |
BRCS5N10MC的全球分销商及价格
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立创商城 | BRCS5N10MC | BLUE ROCKET(蓝箭) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：235mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道 | 5+:￥0.503604
50+:￥0.378654
150+:￥0.355704
500+:￥0.332754
2500+:￥0.322554
5000+:￥0.317514
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