BR80N08A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):165W(Tc) 类型:N沟道
BR80N08A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)165W(Tc)
类型N沟道
BR80N08A
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BR80N08A | N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package | FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.] | ![FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]的LOGO](/PdfSupLogo/1065FOSHAN.GIF) | 930.96 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | BR80N08A | BLUE ROCKET(蓝箭) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):165W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.448 10+:¥1.784 30+:¥1.664 100+:¥1.544 500+:¥1.488 1000+:¥1.464
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