BR50N06的供应商，BR50N06规格参数，BR50N06的PDF资料

BR50N06 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道

BR50N06的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）50A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻22mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）120W(Tc)

类型N沟道

BR50N06

BR50N06的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BR50N06	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	BR50N06	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BR50N06	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
集好芯城	BR50N06	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	BR50N06	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市坤融电子有限公司	BR50N06	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BR50N06	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市微碧半导体有限公司	BR50N06-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	BR50N06	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

BR50N06及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
BR50N06	N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package	FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]	1147.18 Kbytes	共6页	无
BR50N06	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET	THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]	1459.94 Kbytes	共6页	无
BR50N06	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]	1229.06 Kbytes	共3页	无

BR50N06的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	BR50N06	BLUE ROCKET(蓝箭)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.7884 10+:￥1.3386 30+:￥1.2559 100+:￥1.1733 500+:￥1.1366 1000+:￥1.1185

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