波长, 典型值:850nm
半角:60°
暗电流:2nA
封装形式:DIP
针脚数:2
工作温度范围:-40°C 到 +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
上升时间:25ns
下降时间:25ns
二极管类型:光电二极管
外宽:4.5mm
外部深度:2.2mm
外部长度/高度:4mm
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:85°C
封装类型:矩形
工作温度敏:-40°C
工作温度最高:85°C
引脚节距:5.1mm
正向电压, 于If:1.3V
波长, 频谱响应峰值:850nm
波长峰值:850nm
活性区面积:7.45mm2
活跃区面积:7.45mm2
灵敏度:0.2A/W
电压, Vr 最高:32V
电容值, Cj:72pF
频谱范围最大:1100nm
频谱范围最小:350nm