RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 150 C

40 W：Pd - 功率消耗

安装风格：Through Hole

封装/外壳：TO-220FP-3

系列：BMS3004

品牌：ON Semiconductor

通道模式：Enhancement

下降时间：650 ns

最低工作温度：- 55 C

上升时间：245 ns

晶体管极性：P-Channel

标准包装数量：50

标准断开延迟时间：1400 ns

Vds - 漏-源击穿电压：- 75 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

Id - C连续漏极电流：68 A

Rds On - 漏-源电阻：8.5 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：- 2.6 V

300 nC：Qg - 闸极充电

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：68A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：300nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13400pF @ 20V

功率耗散（最大值）：2W（Ta），40W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 34A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220F-3SG

封装/外壳：TO-220-3 整包

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs