BML6402
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道
BML6402的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.7A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 3.7A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.1W
类型P沟道
BML6402
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| BML6402 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道 | BORN伯恩半导体 |  | 1.32 Mbytes | 共2页 |  | 无 |
BML6402的全球分销商及价格
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立创商城 | BML6402 | BORN伯恩半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道 | 10+:￥0.299189
100+:￥0.224219
300+:￥0.210449
1000+:￥0.196679
5000+:￥0.190559
10000+:￥0.187535
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